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> 如图所示,导体框放置在垂直于框架平面的匀强磁场中,磁感应强度为0.24T,框架中的电阻R1=3Ω,R2=2Ω,其余部分电阻均不计,框架的上下宽度为0.5m,金属导体AB与框架接触良-物理
如图所示,导体框放置在垂直于框架平面的匀强磁场中,磁感应强度为0.24T,框架中的电阻R1=3Ω,R2=2Ω,其余部分电阻均不计,框架的上下宽度为0.5m,金属导体AB与框架接触良-物理
题目简介
如图所示,导体框放置在垂直于框架平面的匀强磁场中,磁感应强度为0.24T,框架中的电阻R1=3Ω,R2=2Ω,其余部分电阻均不计,框架的上下宽度为0.5m,金属导体AB与框架接触良-物理
题目详情
如图所示,导体框放置在垂直于框架平面的匀强磁场中,磁感应强度为0.24T,框架中的电阻R
1
=3Ω,R
2
=2Ω,其余部分电阻均不计,框架的上下宽度为0.5m,金属导体AB与框架接触良好,当导体AB以5m/s速度匀速向右沿着导体框移动时,求:
(1)通过AB上的电流I是多少?方向如何?
(2)所需外力F多大?
题目简介
如图所示,导体框放置在垂直于框架平面的匀强磁场中,磁感应强度为0.24T,框架中的电阻R1=3Ω,R2=2Ω,其余部分电阻均不计,框架的上下宽度为0.5m,金属导体AB与框架接触良-物理
题目详情
(1)通过AB上的电流I是多少?方向如何?
(2)所需外力F多大?