工业上用“三氯氢硅还原法”，提纯粗硅的工艺流程如图所示：（1）三氯氢硅的制备原理：Si（s）+3HCl（g）⇌SiHCl3（g）+H2（g）△H=-210kJ/mol工业上为了加快SiHCl的生成速率

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工业上用“三氯氢硅还原法”，提纯粗硅的工艺流程如图所示：

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（1）三氯氢硅的制备原理：Si（s）+3HCl（g）⇌SiHCl₃（g）+H₂（g）△H=-210kJ/mol
工业上为了加快SiHCl的生成速率而又不降低硅的转化率，可以采用的方法是______．
（2）除上述反应外，还伴随着副反应：Si（s）+4HCl（g）⇌SiCl₄（g）+2H₂（g）△H=-241kJ/mol．已知：SiHCl、SiCl₄常温下均为液体．
①工业上分离SiHCl、SiCl₄的操作方法为______．
②反应SiHCl₃（g）+HCl（g）⇌SiCl₄（g）+H₂（g）的△H=______kJ/mol．
（3）该生产工艺中可以循环使用的物质是______（填物质名称）．

题型：问答题难度：中档来源：不详

答案

（1）升高温度或增大氢气与SiHCl3的物质的量之比或增大氢气浓度，提高还原时SiHCl3的转化率，
故答案为：升高温度或增大氢气与SiHCl3的物质的量之比或增大氢气浓度；
（2）①SiHCl3（l）和SiCl4（l）是互溶的液体，采用蒸馏的方法分离，故答案为：蒸馏；
②Si（s）+3HCl（g）⇌SiHCl3（g）+H2（g）△H=-210kJ/mol①
Si（s）+4HCl（g）⇌SiCl4（g）+2H2（g）△H=-241kJ/mol②
根据盖斯定律则②-①得：SiHCl3（g）+HCl（g）⇌SiCl4（g）+H2（g）△H=-31kJ/mol，故答案为：-31；
③由图示可知反应物有粗硅、HCl、H2；反应过程中生成物有：SiHCl3、H2、SiCl4、HCl，所以在反应物中和生成物中都有的物质是HCl、H2，所以流程中可循环使用的物质是HCl、H2，故答案为：氯化氢、氢气．

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工业上用“三氯氢硅还原法”，提纯粗硅的工艺流程如图所示：（1）三氯氢硅的制备原理：Si（s）+3HCl（g）⇌SiHCl3（g）+H2（g）△H=-210kJ/mol工业上为了加快SiHCl的生成速率

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